Новости медицины портала Remedium.ru - самая актуальная информация о рынке лекарств и медицинского обеспечения

Опрос для врачей

  1. Пользуетесь ли вы интернетом на работе?

Вход на сайт

Авторизоваться
Логин:
Пароль:
Регистрация
Забыли свой пароль?

Facebook

Вакансии фармкомпанийВакансии

Все вакансии




Реклама


Главная / Новости медицины и фармации

31.10.2013 12:10

«Крокус Наноэлектроника» запустила завод по производству магниторезистивной памяти

В рамках Международного форума «Открытые инновации» компания «Крокус Наноэлектроника», совместное предприятие РОСНАНО и Crocus Technology, приступила к производству магниторезистивной памяти (MRAM), говорится в сообщении РОСНАНО.

В торжественной церемонии открытия завода по телемосту приняли участие мэр Москвы Сергей Собянин, председатель правления РОСНАНО Анатолий Чубайс, генеральный директор Crocus Technology (Франция) Жан-Люк Сенти и генеральный директор «Крокус Наноэлектроника» Борис Омаров.

Магниторезистивная память (MRAM), совмещающая в себе энергонезависимость, высокую скорость записи/чтения и практически неограниченное количество циклов перезаписи, является памятью нового поколения. Продукция проекта, основанная на MRAM и уникальной технологии MLU (Magnetic-Logic-Unit — магнитная логическая ячейка), разработанной Crocus Technology совместно с IBM, может использоваться в смарт-картах, сетевых коммутаторах, устройствах биометрической аутентификации, коммуникационных устройствах малого радиуса действия (near-field communications — NFC) и защищенной памяти. Ожидается, что объем общего рынка применений продукции проекта в 2014 году превысит 8 млрд. долл.

Строительство производства компании «Крокус Наноэлектроника» на территории Технополиса «Москва» – один из примеров сотрудничества РОСНАНО и правительства Москвы, которое развивает на территории бывшего АЗЛК уникальную площадку для высокотехнологичных компаний. «Крокус Наноэлектроника» стал первым резидентом будущего микроэлектронного кластера.

Первая очередь производства «Крокус Наноэлектроника», введенная в строй за год с момента начала строительства, станет первым в мире производством MRAM с проектными нормами 90 нанометров. На 200- и 300-миллиметровые пластины, произведенные по технологии КМОП (комплементарный металлооксидный полупроводник), на заводе наносятся дополнительные слои для создания ячеек памяти MRAM. К концу 2014 года его производительность составит 500 пластин в неделю. Общий объем инвестиций в проект превышает 200 миллионов евро, включая софинансирование РОСНАНО в размере 100 млн евро.



Ключевые слова: «Крокус Наноэлектроника», завод по производству магниторезистивной памяти




Последние новости

 
В Москве впервые выявлен очаг клещевого энцефалита

В Москве впервые выявлен очаг клещевого энцефалита

В лесопарке в Крылатском обнаружились не только энцефалитные клещи, но и инфицированные млекопитающие. Ранее вирус клещевого энцефалита в Москве никогда не выявляли.
24.04.2018
Великобритания запретила назначение женщинам вальпроата натрия

Великобритания запретила назначение женщинам вальпроата натрия

Запрет будет действовать до принятия специальной программы по предотвращению беременности среди пациенток с эпилепсией.
24.04.2018
Суд удовлетворил требование Центра им. М.П.Чумакова о защите деловой репутации

Суд удовлетворил требование Центра им. М.П.Чумакова о защите деловой репутации

В декабре прошлого года в интернете появились необоснованные утверждения в адрес ФНЦИРИП им. Чумакова о нарушениях, якобы допущенных при закупках лабораторных животных, использовавшихся в доклинически...
24.04.2018

Мероприятия

     2018
След. год

Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
26 27 28 29 30 31 1
2 3 4 5 6 7 8
9 10 11 12 13 14 15
16 17 18 19 20 21 22
23 24 25 26 27 28 29
30 1 2 3 4 5 6


Подписка


Реклама


Мы в Twitter

Для смартфона

Читайте новости и статьи в своем смартфоне или планшете.